高次膜吸收器磁體

　　特 點： 整體燒制成薄壁圓筒體形，密度均勻。具有良好的寬帶高頻吸波性能，承載吸收功率大，用作500MHz超導加速腔加速管內壁鑲嵌材料。

　　應用領域：用于雷達隱身、電磁防護、通信息訊等國防和環保民用吸波領域有廣泛應用。

　　技術指標：材料居里溫度≥175℃，

　　熱導率≥6W/(m·K)，

　　吸收功率4.4KW以上。

　　不圓度<0.05mm

　　材料具有良好的寬帶高頻吸波性能，用作500MHz超導加速腔加速管內壁鑲嵌材料。公司2009年為高能所二代正負電子對撞機(BEPCΙΙ)成功研制的。

　　2009年9月，北京高能所以《大功率超導高頻腔高次膜吸收器的自主研制取得突破性進展》為題，報道了該技術成果，稱“這一突破性進展為替代昂貴的同類進口設備用于BEPCΙΙ超導高頻系統運行備份奠定了重要基礎。目前，此種類型(高功率吸收、深度抑制)的高次膜吸收器研制技術由美日公司掌握，產品價格非常昂貴?！?/p>